کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10669828 | 1008842 | 2012 | 13 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Transient stages during the chemical vapour deposition of silicon carbide from CH3SiCl3/H2: impact on the physicochemical and interfacial properties of the coatings
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Transient stages during the chemical vapour deposition of silicon carbide from CH3SiCl3/H2: impact on the physicochemical and interfacial properties of the coatings Transient stages during the chemical vapour deposition of silicon carbide from CH3SiCl3/H2: impact on the physicochemical and interfacial properties of the coatings](/preview/png/10669828.png)
چکیده انگلیسی
âºInvestigation of transient stages during chemical vapour deposition of SiC. âºCorrelation with gas phase composition and deposition rate. âºCorrelation with nature of gradient Si-C coatings (ÏTr). âºSynthesis of SiC/ÏTr/SiC bilayers. âºAdhesion assessment of SiC/ÏTr/SiC bilayers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 19, 31 July 2012, Pages 6075-6087
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 19, 31 July 2012, Pages 6075-6087
نویسندگان
Georges Chollon, Francis Langlais, Maud Placide, Patrick Weisbecker,