کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10669831 | 1008842 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Atomic layer deposition of Ru thin film using N2/H2 plasma as a reactant
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Atomic layer deposition of Ru thin film using N2/H2 plasma as a reactant Atomic layer deposition of Ru thin film using N2/H2 plasma as a reactant](/preview/png/10669831.png)
چکیده انگلیسی
⺠Atomic layer deposition (ALD) of Ru and N-incorporated Ru film using N2/H2 plasma. ⺠The growth rate of 0.057 nm/cycle and negligible incubation cycle. ⺠A low resistivity of Ru (~ 16.5 μΩ cm) at the deposition temperature of 270 °C. ⺠Electroplating of Cu on a 10-nm-thick ALD-Ru film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 19, 31 July 2012, Pages 6100-6105
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 19, 31 July 2012, Pages 6100-6105
نویسندگان
Tae Eun Hong, Ki-Yeung Mun, Sang-Kyung Choi, Ji-Yoon Park, Soo-Hyun Kim, Taehoon Cheon, Woo Kyoung Kim, Byoung-Yong Lim, Sunjung Kim,