کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10669835 | 1008842 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Oxygen pressure dependent VO2 crystal film preparation and the interfacial epitaxial growth study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Oxygen pressure dependent VO2 crystal film preparation and the interfacial epitaxial growth study Oxygen pressure dependent VO2 crystal film preparation and the interfacial epitaxial growth study](/preview/png/10669835.png)
چکیده انگلیسی
⺠High quality VO2 films with different phase structures were obtained by PLD method. ⺠High oxygen pressure tends to form B-VO2 while low pressure favors M1-VO2 film. ⺠Ï-scan XRD confirms the [020] epitaxial growth orientation of the M1-VO2 film. ⺠The epitaxial relationship is explained based on domain matching theory. ⺠M1-VO2 film shows excellent optical property in infrared range.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 19, 31 July 2012, Pages 6124-6129
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 19, 31 July 2012, Pages 6124-6129
نویسندگان
L.L. Fan, Y.F. Wu, C. Si, C.W. Zou, Z.M. Qi, L.B. Li, G.Q. Pan, Z.Y. Wu,