کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10669850 | 1008842 | 2012 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Evolution of silicon nanoclusters and hydrogen in SiNx:H films: Influence of high hydrostatic pressure under annealing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We study the optical properties of SiNx:H films annealed at a high pressure. ⺠After annealing at 1130 °С, 5 h, the SiN1.3 film contains hydrogen. ⺠Films annealed under high pressure showed changes in their photoluminescence spectra.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 19, 31 July 2012, Pages 6207-6214
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 19, 31 July 2012, Pages 6207-6214
نویسندگان
V.A. Volodin, K.O. Bugaev, A.K. Gutakovsky, L.I. Fedina, M.A. Neklyudova, A.V. Latyshev, A. Misiuk,