کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10669850 1008842 2012 8 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Evolution of silicon nanoclusters and hydrogen in SiNx:H films: Influence of high hydrostatic pressure under annealing
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Evolution of silicon nanoclusters and hydrogen in SiNx:H films: Influence of high hydrostatic pressure under annealing
چکیده انگلیسی
► We study the optical properties of SiNx:H films annealed at a high pressure. ► After annealing at 1130 °С, 5 h, the SiN1.3 film contains hydrogen. ► Films annealed under high pressure showed changes in their photoluminescence spectra.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 19, 31 July 2012, Pages 6207-6214
نویسندگان
, , , , , , ,