کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10669943 1008845 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Activation energy and carrier dynamics of CdTe/ZnTe quantum dots on GaAs and Si substrates
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Activation energy and carrier dynamics of CdTe/ZnTe quantum dots on GaAs and Si substrates
چکیده انگلیسی
► CdTe/ZnTe quantum dots (QDs) were grown on GaAs and Si substrates. ► Activation energy of QDs on GaAs substrate is higher than that of QDs on Si substrate. ► Decay time of QDs on Si substrate is shorter than that of QDs on GaAs substrate. ► Defects and dislocations in QDs on Si substrate provide nonradiative channels.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 16, 1 June 2012, Pages 5378-5381
نویسندگان
, ,