کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10669943 | 1008845 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Activation energy and carrier dynamics of CdTe/ZnTe quantum dots on GaAs and Si substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠CdTe/ZnTe quantum dots (QDs) were grown on GaAs and Si substrates. ⺠Activation energy of QDs on GaAs substrate is higher than that of QDs on Si substrate. ⺠Decay time of QDs on Si substrate is shorter than that of QDs on GaAs substrate. ⺠Defects and dislocations in QDs on Si substrate provide nonradiative channels.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 16, 1 June 2012, Pages 5378-5381
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 16, 1 June 2012, Pages 5378-5381
نویسندگان
Kyoung-Duck Park, Hong Seok Lee,