کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10670070 | 1008846 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Self-limiting low-temperature growth of crystalline AlN thin films by plasma-enhanced atomic layer deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Self-limiting low-temperature growth of crystalline AlN thin films by plasma-enhanced atomic layer deposition Self-limiting low-temperature growth of crystalline AlN thin films by plasma-enhanced atomic layer deposition](/preview/png/10670070.png)
چکیده انگلیسی
âºAlN thin films were deposited by plasma-enhanced ALD using TMA and NH3. âºConstant growth rate of ~ 0.86 Ã
/cycle was observed from 100 to 200 °C. âºAlN films were polycrystalline with a hexagonal wurtzite structure. âºFilms exhibited an optical band edge at ~ 5.8 eV. âºFilms were highly transparent in the visible region of the spectrum.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 7, 31 January 2012, Pages 2750-2755
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 7, 31 January 2012, Pages 2750-2755
نویسندگان
Cagla Ozgit, Inci Donmez, Mustafa Alevli, Necmi Biyikli,