کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10670072 | 1008846 | 2012 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Atomic layer deposition of Ru films from bis(2,5-dimethylpyrrolyl)ruthenium and oxygen
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Atomic layer deposition of Ru films from bis(2,5-dimethylpyrrolyl)ruthenium and oxygen Atomic layer deposition of Ru films from bis(2,5-dimethylpyrrolyl)ruthenium and oxygen](/preview/png/10670072.png)
چکیده انگلیسی
⺠Thin Ru films can be grown by ALD from bis(2,5-dimethylpyrrolyl)ruthenium and oxygen. ⺠Growth of Ru is enhanced on Si at low temperatures and on oxides at high temperatures. ⺠HfO2 is the most favoring substrate for the nucleation of ruthenium.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 7, 31 January 2012, Pages 2756-2763
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 7, 31 January 2012, Pages 2756-2763
نویسندگان
Kaupo Kukli, Jaan Aarik, Aleks Aidla, Indrek Jõgi, Tõnis Arroval, Jun Lu, Timo Sajavaara, Mikko Laitinen, Alma-Asta Kiisler, Mikko Ritala, Markku Leskelä, John Peck, Jim Natwora, Joan Geary, Ronald Spohn, Scott Meiere, David M. Thompson,