کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10670223 | 1008853 | 2011 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nanocrystallized tetragonal metastable ZrO2 thin films deposited by metal-organic chemical vapor deposition for 3D capacitors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Zirconium oxide - اکسید زیرکونیومTetragonal - تتراگونالHigh dielectric constant - ثابت دی الکتریک بالاElectrical properties and measurements - خواص الکتریکی و اندازه گیریMetal organic chemical vapor deposition - رسوبات بخار شیمیایی فلزات آلیTransmission electron microscopy - میکروسکوپ الکترونی عبوری
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
ZrO2 is a potential candidate for the realization of 3D capacitors on silicon for future Systems-on-Chip. This paper reports on the deposition of ZrO2 thin films by metal-organic chemical vapor deposition on planar and 3D structures. Physico-chemical as well as electrical properties of the films are investigated. It is shown that the change of phase and microstructure of the film due to annealing at 900 °C under O2 impacts directly on the electrical performance of the capacitors. Capacitance densities are 2 nF/mm2 for planar capacitors and reach 8 nF/mm2 for capacitors with pores etched in silicon with a 4:1 aspect ratio.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 16, 1 June 2011, Pages 5638-5644
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 16, 1 June 2011, Pages 5638-5644
نویسندگان
M. Brunet, H. Mafhoz Kotb, L. Bouscayrol, E. Scheid, M. Andrieux, C. Legros, S. Schamm-Chardon,