کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10670342 | 1008859 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The origin of electrical property deterioration with increasing Mg concentration in ZnMgO:Ga
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: The origin of electrical property deterioration with increasing Mg concentration in ZnMgO:Ga The origin of electrical property deterioration with increasing Mg concentration in ZnMgO:Ga](/preview/png/10670342.png)
چکیده انگلیسی
⺠The growth conditions of epitaxial ZnMgO:Ga via PLD are optimized. ⺠Resulted TCO films have the highest conductivity among works of the same Mg ratio. ⺠Increasing Mg leads to similar crystal quality but inferior Ï, n, μ. ⺠Decrease in crystallinity further deteriorated Ï, n, μ.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 9, 29 February 2012, Pages 3697-3702
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 9, 29 February 2012, Pages 3697-3702
نویسندگان
Yi Ke, Joseph Berry, Philip Parilla, Andriy Zakutayev, Ryan O'Hayre, David Ginley,