کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10670456 | 1008866 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optical properties of GaAs0.9-xNxSb0.1 alloy films studied by spectroscopic ellipsometry
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Spectroscopic ellipsometry from 0.73 to 4.75 eV was used to study the optical properties of epitaxial GaAs0.9-xNxSb0.1 layers with x = 0.00, 0.65, 1.06, 1.45 and 1.90%. The ellipsometric experimental spectra were fitted using a multilayer model employing the model dielectric function to describe the GaAs0.9-xNxSb0.1 optical response. We have identified the Î-point E0, E+, and E# transitions of GaAs0.9-xNxSb0.1 and have determined the effect of nitrogen on the respective transition energies. We have demonstrated that a lower N content can provide an equal E+-E0 energy splitting for GaAs0.9-xNxSb0.1 with respect to GaAs1-xNx.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 9, 28 February 2011, Pages 2838-2842
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 9, 28 February 2011, Pages 2838-2842
نویسندگان
N. Ben Sedrine, C. Bouhafs, M. Schubert, J.C. Harmand, R. Chtourou, V. Darakchieva,