کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10670774 | 1009008 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Spontaneous oxide reduction in metal stacks
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
82.80.Pv68.35.Fx82.65.Dp73.90.+f - + 73.90. + f61.16.Bg - 61.16 ب.گ.Oxidation - اکسیداسیونInterfaces - رابط هاElectron energy-loss spectroscopy - طیف سنجی از دست دادن انرژی الکترونEnergy-dispersive spectroscopy - طیف سنجی انرژی پراکندهMetallization - متالیزه شدنTransmission electron microscopy - میکروسکوپ الکترونی عبوری
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Spontaneous oxide reduction in metal stacks Spontaneous oxide reduction in metal stacks](/preview/png/10670774.png)
چکیده انگلیسی
Aluminum and copper interconnects are widely used for microelectronic applications. A problem can arise when interfacial oxides are present. Such oxides can significantly degrade device performance by increasing electrical resistance. This paper describes analyses of interfacial oxide layers found in Al/Ta and Ta/Cu metal stacks. The analyses were performed through transmission electron microscopy (TEM). The data indicated that the interfacial oxides resulted from spontaneous reductions; that is, Al spontaneously reduced Ta2O5 to form Al2O3, while Ta spontaneously reduced Cu oxide to form Ta2O5.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 473, Issue 2, 14 February 2005, Pages 236-240
Journal: Thin Solid Films - Volume 473, Issue 2, 14 February 2005, Pages 236-240
نویسندگان
Wentao Qin, Alex A. Volinsky, Dennis Werho, N. David Theodore, Mike Kottke, Chandra Ramiah,