کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1553007 | 1513216 | 2015 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of the counter ion on the properties of organic and inorganic acid doped polyaniline and their Schottky diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The heterojunction device structure In/PANI-DBSA/Al and In/PANI-HCl/Al was made to fabricate by thermal evaporation method. The current voltage (I-V) characteristics of these devices are weak rectifying behavior with the non-linear nature. The diode parameters such as ideality factor, barrier height and saturation current densities were calculated using the modified Shockley equation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 85, September 2015, Pages 282-293
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 85, September 2015, Pages 282-293
نویسندگان
S. Ashokan, V. Ponnuswamy, P. Jayamurugan, J. Chandrasekaran, Y.V. Subba Rao,