کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554588 | 1513251 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
EBIC and CL studies of ELOG GaN films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Results demonstrating the ability of EBIC and CL methods for ELOG GaN films characterization are presented. It is shown that EBIC measurements allow us to estimate not only the lateral distribution of diffusion length but also the donor distribution in such films. Donor concentration is found to be different in slit and wing regions. A difference in CL and EBIC images is revealed, which is explained by band bending near the boundaries where two overgrowing fronts meet.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 45, Issues 4–5, April–May 2009, Pages 308–313
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 45, Issues 4–5, April–May 2009, Pages 308–313
نویسندگان
E.B. Yakimov, P.S. Vergeles, A.V. Govorkov, A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, In-Hwan Lee, Cheul Ro Lee, S.J. Pearton,