کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1664021 | 1518003 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
X-ray photoelectron spectroscopy studies on single crystalline β-FeSi2
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In order to realize the photoluminescence of semiconducting β-FeSi2 homoepitaxial films, surface preparation of single crystalline β-FeSi2 is of critical importance. An atomically flat and clean substrate surface of β-FeSi2 was prepared by sputtering with 2 keV Ar+ ions or by heating at 850 °C. The structure of the native surface oxide and the removal of this layer were investigated though X-ray photoelectron spectroscopy measurements. No significant deviation of the stoichiometry was detected in the surface region. Our results suggest that a surface prepared in this way is an eligible substrate for homoepitaxy of β-FeSi2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 606, 1 May 2016, Pages 1-6
Journal: Thin Solid Films - Volume 606, 1 May 2016, Pages 1-6
نویسندگان
Wei Mao, Haruhiko Udono, Kenji Yamaguchi, Takayuki Terai, Hiroyuki Matsuzaki,