کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1664489 | 1008758 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thickness oscillations of the transport properties in n-type Bi2Te3 topological insulator thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The dependences of the electrical conductivity, Seebeck coefficient and Hall coefficient on the thickness (d = 20-155 nm) of the n-type thin films grown on the glass substrates by the thermal evaporation in vacuum of the n-type Bi2Te3 topological insulator crystals have been measured. It has been established that these dependences have an oscillatory character with a substantial amplitude. The obtained results are interpreted in terms of quantum size effects, taking into account the peculiar properties of the surface layers of the Bi2Te3 films connected with the topological insulator nature of the bismuth telluride.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 594, Part A, 2 November 2015, Pages 109-114
Journal: Thin Solid Films - Volume 594, Part A, 2 November 2015, Pages 109-114
نویسندگان
E.I. Rogacheva, A.V. Budnik, A.Yu. Sipatov, O.N. Nashchekina, A.G. Fedorov, M.S. Dresselhaus, S. Tang,