کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1665930 | 1518057 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Performance and direct-coupled FET logic applications of InAlAs/InGaAs co-integrated field-effect transistors by 2-D simulation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠The InAlAs/InGaAs co-integrated structures are demonstrated and compared. ⺠The large gate-to-source turn-on voltage and drain-to-source current are obtained. ⺠Two transfer characteristics are implemented for direct-coupled FET logic.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 547, 29 November 2013, Pages 267-271
Journal: Thin Solid Films - Volume 547, 29 November 2013, Pages 267-271
نویسندگان
Jung-Hui Tsai, Chia-Hong Huang, Jhih-Jhong Ou-Yang, Yi-Ting Chao, Jia-Cing Jhou, You-Ren Wu,