کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1666557 | 1518080 | 2012 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of morphological and electrical characteristics of tin doped indium oxide layers produced by a quasi single source precursor system
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠A quasi single source precursor system enables one-step heat treatment of layers. ⺠Thereby less pronounced texture and lower tensile residual stress were obtained. ⺠The layers show hardly any fluctuations in the thickness. ⺠The electrical conductivity could be increased. ⺠Optical performance in terms of transmission (vis) and IR reflection was increased.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 524, 1 December 2012, Pages 67-74
Journal: Thin Solid Films - Volume 524, 1 December 2012, Pages 67-74
نویسندگان
M. Veith, C. Bubel, I. Grobelsek,