کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1666791 | 1518075 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Suppressing the lateral growth of gallium nitride nanowires by introducing hydrogen plasma
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Suppressing the lateral growth of gallium nitride nanowires by introducing hydrogen plasma Suppressing the lateral growth of gallium nitride nanowires by introducing hydrogen plasma](/preview/png/1666791.png)
چکیده انگلیسی
⺠Growth of GaN nanowires by plasma-enhanced chemical vapor deposition. ⺠Control the lateral growth of GaN nanowires by introducing hydrogen plasma. ⺠Hydrogen plasma induces desorption of Ga adatoms on GaN nanowires. ⺠Hydrogen plasma etches high index planes into thermodynamically stable planes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 529, 1 February 2013, Pages 133-137
Journal: Thin Solid Films - Volume 529, 1 February 2013, Pages 133-137
نویسندگان
Tung-Hsien Wu, Franklin Chau-Nan Hong,