کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1666799 | 1518075 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Coaxial-structured ZnO/silicon nanowires extended-gate field-effect transistor as pH sensor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Coaxial-structured ZnO/silicon nanowire EGFET was demonstrated as pH sensor. ⺠EMD and ALD methods were proposed to fabricate ZnO/silicon nanowires. ⺠ZnO/silicon nanowire EGFET sensor achieved better sensitivity and linearity. ⺠ZnO/silicon nanowire EGFET sensor had good reliability and durability.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 529, 1 February 2013, Pages 173-176
Journal: Thin Solid Films - Volume 529, 1 February 2013, Pages 173-176
نویسندگان
Hung-Hsien Li, Chi-En Yang, Chi-Chung Kei, Chung-Yi Su, Wei-Syuan Dai, Jung-Kuei Tseng, Po-Yu Yang, Jung-Chuan Chou, Huang-Chung Cheng,