کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1666799 1518075 2013 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Coaxial-structured ZnO/silicon nanowires extended-gate field-effect transistor as pH sensor
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Coaxial-structured ZnO/silicon nanowires extended-gate field-effect transistor as pH sensor
چکیده انگلیسی
► Coaxial-structured ZnO/silicon nanowire EGFET was demonstrated as pH sensor. ► EMD and ALD methods were proposed to fabricate ZnO/silicon nanowires. ► ZnO/silicon nanowire EGFET sensor achieved better sensitivity and linearity. ► ZnO/silicon nanowire EGFET sensor had good reliability and durability.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 529, 1 February 2013, Pages 173-176
نویسندگان
, , , , , , , , ,