کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1667468 | 1008851 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Susceptor-assisted microwave annealing for activation of arsenic dopants in silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Quick solid phase epitaxial regrowth. ⺠Minimum end of range dopant diffusion. ⺠Dopant activation. ⺠Lattice damage repair.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 13, 30 April 2012, Pages 4314-4320
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 13, 30 April 2012, Pages 4314-4320
نویسندگان
T.L. Alford, Mandar J. Gadre, Rajitha N.P. Vemuri, N. David Theodore,