کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1667468 1008851 2012 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Susceptor-assisted microwave annealing for activation of arsenic dopants in silicon
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Susceptor-assisted microwave annealing for activation of arsenic dopants in silicon
چکیده انگلیسی
► Quick solid phase epitaxial regrowth. ► Minimum end of range dopant diffusion. ► Dopant activation. ► Lattice damage repair.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 13, 30 April 2012, Pages 4314-4320
نویسندگان
, , , ,