کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1667511 | 1008852 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization and analysis of epitaxial silicon phosphorus alloys for use in n-channel transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Characterization and analysis of epitaxial silicon phosphorus alloys for use in n-channel transistors Characterization and analysis of epitaxial silicon phosphorus alloys for use in n-channel transistors](/preview/png/1667511.png)
چکیده انگلیسی
In this work, we demonstrate substitutional phosphorus concentration as high as 12Â at.% in epitaxial silicon. It is observed that 10Â at.% substitutional phosphorus doping is equivalent in tensile strain to incorporating 2.1Â at.% substitutional carbon into the silicon lattice. Phosphorus doping of this order produces tensile strain levels suitable for n-channel metal-oxide semiconductor field-effect transistor uniaxial stressor applications. This work focuses on the experimental and theoretical analyses of phosphorus doped silicon based on high resolution X-ray rocking curves, secondary ion mass spectroscopy, Rutherford backscattering spectroscopy, and molecular dynamic modeling.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 8, 1 February 2012, Pages 3158-3162
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 8, 1 February 2012, Pages 3158-3162
نویسندگان
K.D. Weeks, S.G. Thomas, P. Dholabhai, J. Adams,