کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1668011 | 1008861 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Intrinsic room temperature ferromagnetism in Zn0.92Co0.08O thin films prepared by pulsed laser deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
X-ray absorption fine structure - اشعه ایکس جذب ساختار خوبZinc oxide - اکسید رویMagnetic properties - خواص مغناطیسیCo-doping - شرکت دوپینگdefects - عیوبScanning electron microscopy - میکروسکوپ الکترونی روبشیDiluted magnetic semiconductors - نیمه هادی مغناطیسی رقیق شدهX-ray diffraction - پراش اشعه ایکس
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Zn0.92Co0.08O thin films were fabricated on p-type Si (100) and quartz substrates by pulsed laser deposition using a ZnCoO ceramic target. The structural and magnetic properties of the films were characterized by field emission scan electronic microscopy, x-ray diffraction, x-ray photoemission spectroscopy, UV-visible transmission spectra, extended x-ray absorption fine structure spectroscopy and physical property measurement system. Substitutional doping of Co2+ in ZnO lattice is demonstrated in the films. The as-deposited Zn0.92Co0.08O thin film displayed intrinsic room temperature ferromagnetism with saturation magnetization (Ms) of ~ 0.20μB/Co. The corresponding Ms increased to ~ 0.23μB/Co when annealed in vacuum and further to ~ 0.42μB/Co after annealed in hydrogen. In turn, the Ms dropped to the value of ~ 0.13μB/Co after annealed in oxygen. Our studies indicate that oxygen vacancy density plays a key role in mediating the ferromagnetism of the diluted magnetic semiconductor films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 10, 1 March 2011, Pages 3312-3317
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 10, 1 March 2011, Pages 3312-3317
نویسندگان
Hanbin Wang, Qiong He, Hao Wang, Xina Wang, Jun Zhang, Yong Jiang, Quan Li,