کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1668111 | 1008863 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low temperature silicon epitaxy from trichlorosilane via mesoplasma chemical vapor deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Low temperature silicon epitaxy from trichlorosilane via mesoplasma chemical vapor deposition Low temperature silicon epitaxy from trichlorosilane via mesoplasma chemical vapor deposition](/preview/png/1668111.png)
چکیده انگلیسی
Epitaxial silicon thick films have been deposited at around 400 °C by mesoplasma chemical vapor deposition with trichlorosilane (TCS) as source gas. The deposition rate of the Si films increases linearly with the TCS flow rate and reaches 30 nm/s at 15 sccm of TCS. These films have exhibited relatively high hall mobility (~ 200 cm2/V-s) independently of the deposition rate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 20, 1 August 2011, Pages 6759–6762
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 20, 1 August 2011, Pages 6759–6762
نویسندگان
Junichi Fukuda, Makoto Kambara, Toyonobu Yoshida,