کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1668266 | 1008865 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surface morphology and structure of ultra-thin magnesium oxide grown on (100) silicon by atomic layer deposition oxidation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Ultra-thin magnesium oxide layers were elaborated by atomic layer deposition and oxidation process on silicon (100) starting from (2 × 1) thermally-reconstructed or hydrogen-terminated Si surfaces. Low-energy electron diffraction experiments show (2 × 3) and (3 × 3) reconstructions while depositing a magnesium monolayer on Si clean surfaces, and a 3-dimentional growth of the oxide as confirmed by ex-situ atomic force microscopy. For hydrogen-terminated or clean surfaces previously physisorbed by oxygen, uniform cobalt/magnesium-oxide/silicon stacks of layers are observed by transmission electron microscopy. Annealing above 150 °C leads to MgO dissolution and formation of an interfacial complex compound by inter-diffusion of Si and Co.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 19, 29 July 2011, Pages 6302–6306
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 19, 29 July 2011, Pages 6302–6306
نویسندگان
N. Rochdi, K. Liudvikouskaya, M. Descoins, M. Raïssi, C. Coudreau, J.-L. Lazzari, H. Oughaddou, F. Arnaud D'Avitaya,