کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1668559 | 1008871 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Insights for void formation in ion-implanted Ge
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Insights for void formation in ion-implanted Ge Insights for void formation in ion-implanted Ge](/preview/png/1668559.png)
چکیده انگلیسی
The formation of voids in ion-implanted Ge was studied as a function of ion implantation energy and dose. (001) Ge substrates were self-implanted at energies of 20–300 keV to doses of 1.0 × 1013–1.0 × 1017 cm− 2. Transmission electron microscopy revealed clusters of voids just below the surface for implant energies ≤ 120 keV at a dose of 2.0 × 1015 cm− 2 and complete surface coverage for an implant energy of 130 keV and doses ≥ 1.0 × 1016 cm− 2. Void clusters did not change in size or density after isothermal annealing at 330 °C for 176 min. The initial void formation is discussed in terms of the vacancy clustering and “microexplosion” theories with a damage map detailing the implant conditions necessary to produce voids.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 18, 1 July 2011, Pages 5962–5965
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 18, 1 July 2011, Pages 5962–5965
نویسندگان
B.L. Darby, B.R. Yates, N.G. Rudawski, K.S. Jones, A. Kontos, R.G. Elliman,