کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1668775 1008875 2009 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Luminescence properties of Ammonium Silicon Fluoride films prepared by vapour etching technique
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Luminescence properties of Ammonium Silicon Fluoride films prepared by vapour etching technique
چکیده انگلیسی
Infrared absorption bands at 1060 cm− 1, 1113 cm− 1 and 1230 cm− 1 attain saturation with time. Agreement between the saturation time of SiOx longitudinal optic mode at 1230 cm− 1 and that deduced from PL measurements in literature is noted. It is shown that PL emissions are intrinsic in nature and have a significant excitonic contribution.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 1, 2 November 2009, Pages 49-54
نویسندگان
, , , , ,