کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1669203 | 1008880 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Switching devices in sol–gel hybrid thin film technology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Switching devices in sol–gel hybrid thin film technology Switching devices in sol–gel hybrid thin film technology](/preview/png/1669203.png)
چکیده انگلیسی
Development of non-volatile memories based on organic soft materials is one of two main trends in industry for flash-memories. The electrical bistability of such materials makes them ideal candidates for cost-effective, fast programming switching devices. SiO2-Rose Bengal (bis-triethylammonium) hybrid thin films are reported here together with their characterizations. The technology yields well reproducible films with good current–voltage switching characteristics. Owing to their physical and chemical stability the films are suited to standard micro-photolitography technology, rendering their fabrication cost-effective.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 16, 30 June 2009, Pages 4658–4662
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 16, 30 June 2009, Pages 4658–4662
نویسندگان
A. Dima, M. Dima, K.G. Watkins, G. Dearden, Dun Liu, C.J. Williams, M. Casalino, M. Gagliardi, I. Rendina, F.G. Della Corte,