کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1669272 | 1008881 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Arc-instability generated during the Joule heating induced crystallization of amorphous silicon films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Joule heating induced crystallization (JIC) was accomplished by applying an electric field to a conductive layer located beneath the amorphous silicon film. This study found that an intense arc is generated at the interface between the silicon and the electrode. The artificial modification of a JIC-sample structure led us to the finding that arc generation is caused by the dielectric breakdown of a SiO2 layer that is sandwiched between the transformed polycrystalline silicon and a conductive layer at high temperatures during Joule heating.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 7, 31 January 2011, Pages 2371–2375
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 7, 31 January 2011, Pages 2371–2375
نویسندگان
Won-Eui Hong, Jae-Sang Ro,