کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1669579 | 1008885 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High quality Ge epitaxial layers on Si by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: High quality Ge epitaxial layers on Si by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition High quality Ge epitaxial layers on Si by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition](/preview/png/1669579.png)
چکیده انگلیسی
Flat, relaxed Ge epitaxial layers with low threading dislocation density (TDD) of 1.94 × 106 cm− 2 were grown on Si(001) by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. High temperature Ge growth at 500 °C on 45 nm low temperature (LT) Ge buffer layer grown at 300 °C ensured the growth of a flat surface with RMS roughness of 1 nm; however, the growth at 650 °C resulted in rough intermixed SiGe layer irrespective of the use of low temperature Ge buffer layer due to the roughening of LT Ge buffer layer during the temperature ramp and subsequent severe surface diffusion at high temperatures. Two-dimensional Ge layer grown at LT was very crucial in achieving low TDD Ge epitaxial film suitable for device applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 14, 29 May 2009, Pages 3990–3994
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 14, 29 May 2009, Pages 3990–3994
نویسندگان
Hyun-Woo Kim, Keun Wook Shin, Gun-Do Lee, Euijoon Yoon,