کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1669688 | 1008887 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Critical bending radius and electrical behaviors of organic field effect transistors under elastoplastic bending strain
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Critical bending radii of some organic thin films were predicted using nanoindentation data and a prediction equation. Electrical behaviors of elastically bent organic field effect transistor(OFET) were also calculated assuming that dimensional changes in the films give rise to electrical changes. The predicted critical bending radius of a pentacene film (4.42 mm) agreed well with the experimental radius from the literature (4.6 mm) within a difference of 4%. The relative source-drain current behaviors predicted for pentacene OFETs using a conventional prediction equation are quite different from the experimental behaviors reported in the literature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 10, 1 March 2010, Pages 2764–2768
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 10, 1 March 2010, Pages 2764–2768
نویسندگان
Moriyasu Kanari, Makoto Kunimoto, Takashi Wakamatsu, Ikuo Ihara,