کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1669925 | 1008892 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Junction temperature, spectral shift, and efficiency in GaInN-based blue and green light emitting diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The junction temperature of homoepitaxial green and blue GaInN/GaN quantum well light emitting diode (LED) dies is analyzed by micro-Raman, photoluminescence, cathodoluminescence mapping, and forward-voltage methods and compared to finite element simulations. Dies on GaN substrate and sapphire were analyzed under variable drive current up to 200 mA (246 A/cm2). At 100 mA, dies on bulk GaN remain as cool as 355 K (83 °C) while dies on sapphire heat up to 477 K (204 °C). The efficiency droop and spectral line shift in green LEDs with increasing current density can now be separated into electrical and thermal contributions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 6, 1 January 2010, Pages 1732–1736
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 6, 1 January 2010, Pages 1732–1736
نویسندگان
J. Senawiratne, A. Chatterjee, T. Detchprohm, W. Zhao, Y. Li, M. Zhu, Y. Xia, X. Li, J. Plawsky, C. Wetzel,