کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1670028 | 1008894 | 2010 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic and optical properties of the group IV doped copper gallium chalcopyrites
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Ternary chalcopyrite semiconductors are well known as promising materials for photovoltaic applications. The substitution of group IV atoms in sulfur and selenium copper gallium chalcopyrites GaCuX2, with X = S and Se, could have important implications either for photovoltaic or spintronic applications. To better understand these effects, we have made first-principles calculations on the doped chalcopyrites with group IV atoms, with different concentrations and geometries. Many of these materials have an intermediate band that modifies the optical properties of the host semiconductor. The sub-gap absorptions have also been determined using the absorption coefficients.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 4, 1 December 2010, Pages 1435–1440
Journal: Thin Solid Films - Volume 519, Issue 4, 1 December 2010, Pages 1435–1440
نویسندگان
C. Tablero,