کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1670046 | 1008895 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Raman study of stress effect on Ge nanocrystals embedded in Al2O3
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Raman study of stress effect on Ge nanocrystals embedded in Al2O3 Raman study of stress effect on Ge nanocrystals embedded in Al2O3](/preview/png/1670046.png)
چکیده انگلیسی
Ge nanocrystals (NCs) embedded in Al2O3 were grown by RF-sputtering. X-ray diffraction, high resolution transmission electron microscopy, and Raman spectroscopy techniques were used to characterize the stresses on the NCs. While small NCs (< 10 nm) have been observed to be spherical and fully relaxed in the matrix, the larger ones (> 17 nm) demonstrated a compressive stress effect. This could be linked to the crystal structure of the adjacent Al2O3 matrix.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 19, 30 July 2010, Pages 5378–5381
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 19, 30 July 2010, Pages 5378–5381
نویسندگان
S.R.C. Pinto, A.G. Rolo, A. Chahboun, R.J. Kashtiban, U. Bangert, M.J.M. Gomes,