کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1670278 | 1008898 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Combined spectroscopic ellipsometry and attenuated total reflection analyses of Al2O3/HfO2 nanolaminates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Combined spectroscopic ellipsometry and attenuated total reflection analyses of Al2O3/HfO2 nanolaminates Combined spectroscopic ellipsometry and attenuated total reflection analyses of Al2O3/HfO2 nanolaminates](/preview/png/1670278.png)
چکیده انگلیسی
The microstructure of thin HfO2–Al2O3 nanolaminate high κ dielectric stacks grown by atomic vapor deposition has been studied by attenuated total reflection spectroscopy (ATR) and 8 eV spectroscopic ellipsometry (SE). The presence of Al2O3 below HfO2 prevents the crystallisation of HfO2 if an appropriate thickness is used, which depends on the HfO2 thickness. A thicker Al2O3 is required for thicker HfO2 layers. If crystallisation does occur, we show that the HfO2 signature in both ATR and 8 eV SE spectra allows the detection of monoclinic crystallites embedded in an amorphous phase.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 18, 1 July 2010, Pages 5057–5060
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 18, 1 July 2010, Pages 5057–5060
نویسندگان
M. Bonvalot, M. Kahn, C. Vallée, E. Gourvest, H. Abed, C. Jorel, C. Dubourdieu,