کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1670339 | 1008899 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Self-limiting growth of anatase TiO2: A comparison of two deposition techniques
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Anatase - آناتازTitanium oxide - اکسید تیتانیوم Atomic layer deposition - رسوب لایه اتمیSelf-limiting growth - رشد خود محدود کنندهFourier transform infrared spectroscopy - طیف سنجی مادون قرمز تبدیل فوریه یا طیف سنجی FTIRplasma-enhanced chemical vapor deposition - مخلوط بخار شیمیایی با افزایش پلاسماX-ray diffraction - پراش اشعه ایکس
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Self-limiting growth of anatase TiO2: A comparison of two deposition techniques Self-limiting growth of anatase TiO2: A comparison of two deposition techniques](/preview/png/1670339.png)
چکیده انگلیسی
Self-limiting deposition of titanium dioxide thin films was accomplished using pulsed plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) at low temperatures (T < 200 °C) using TiCl4 and O2. TiCl4 is shown to be inert with molecular oxygen at process conditions, making it a suitable precursor for these processes. The deposition kinetics were examined as a function of TiCl4 exposure and substrate temperature. The quality of the anatase films produced by the two techniques was nominally identical. The key distinctions are found in precursor utilization and conformality. Pulsed PECVD requires 20 times less TiCl4, while PEALD must be used to uniformly coat complex topographies.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 23, 30 September 2010, Pages 6733–6737
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 23, 30 September 2010, Pages 6733–6737
نویسندگان
Nicholas G. Kubala, Colin A. Wolden,