کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1670349 | 1008899 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Strain distribution in freestanding Si/SixNy membranes studied by transmission electron microscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Strain was induced in a bridge-shaped freestanding Si membrane (FSSM) by depositing an amorphous SixNy layer to surround the Si membrane. Convergent beam electron diffraction revealed that compressive strain is distributed uniformly along the horizontal direction in SixNy-deposited FSSM. On the other hand, strain decreases to almost zero at the ends of the FSSM, where the SixNy layer beneath the Si layer is replaced by a SiO2 buried oxide layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 23, 30 September 2010, Pages 6787-6791
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 23, 30 September 2010, Pages 6787-6791
نویسندگان
Hongye Gao, Ken-ichi Ikeda, Satoshi Hata, Hideharu Nakashima, Dong Wang, Hiroshi Nakashima,