کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1670534 | 1008901 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Silicide and germanide technology for contacts and gates in MOSFET applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Silicide and germanide technology for contacts and gates in MOSFET applications Silicide and germanide technology for contacts and gates in MOSFET applications](/preview/png/1670534.png)
چکیده انگلیسی
We report silicide and germanide technology for ohmic contacts and metal gates of MOSFETs in this paper. We have investigated the control technology of NiSi/Si contact properties by incorporating third elements such as Ge and C for future ULSI applications. The work function and resistivity of various Ni and Pt germanides have been also examined as metal gate materials. The low resistivity and tunable work function of these silicides and germanides are desirable for future CMOS devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 1, 3 November 2008, Pages 80–83
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 1, 3 November 2008, Pages 80–83
نویسندگان
Shigeaki Zaima, Osamu Nakatsuka, Hiroki Kondo, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai, Masaki Ogawa,