کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1670556 | 1008901 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Tensile strained Ge layers on strain-relaxed Ge1 − xSnx/virtual Ge substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Tensile strained Ge layers on strain-relaxed Ge1 − xSnx/virtual Ge substrates Tensile strained Ge layers on strain-relaxed Ge1 − xSnx/virtual Ge substrates](/preview/png/1670556.png)
چکیده انگلیسی
We have grown a tensile-strained Ge layer on a strain-relaxed compositionally step-graded Ge1 − xSnx buffer layer using virtual Ge substrates. The degree of strain relaxation along [110] direction of the top Ge0.945Sn0.055 buffer layer is achieved up to 85% and the resultant (110) lattice spacing of the Ge0.945Sn0.055 buffer layer is estimated to be 0.4028 nm. A pseudomorphic Ge layer is successfully grown on the Ge0.945Sn0.055 buffer layer, yielding a tensile strain of 0.68% with respect to the (110) lattice spacing of non-strained Ge. This value exceeds those obtained by other methods based on the thermal expansion coefficient difference and strain-relaxed Ge1 − xSnx buffer layer directly grown on Si(001) substrates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 1, 3 November 2008, Pages 159–162
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 1, 3 November 2008, Pages 159–162
نویسندگان
Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Osamu Nakatsuka, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima,