کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1670900 | 1008907 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Atomic layer deposition of HfO2 on self-assembled monolayer-passivated Ge surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Atomic layer deposition of HfO2 on self-assembled monolayer-passivated Ge surfaces Atomic layer deposition of HfO2 on self-assembled monolayer-passivated Ge surfaces](/preview/png/1670900.png)
چکیده انگلیسی
HfO2 films are not easily deposited on hydrophobic self-assembled monolayer (SAM)-passivated surfaces. However, in this study, we deposited HfO2 films on a tetradecyl-modified SAM with a Ge surface using atomic layer deposition at 350 °C. A slightly thinner HfO2 film thickness was obtained on the tetradecyl-modified SAM passivated samples than that typically obtained on GeOx-passivated samples. The resulting electrical properties are explained by the physical thickness and stoichiometry of the interfacial layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 15, 31 May 2010, Pages 4126-4130
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 15, 31 May 2010, Pages 4126-4130
نویسندگان
Kibyung Park, Younghwan Lee, Kyung Taek Im, June Young Lee, Sangwoo Lim,