کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1671196 | 1008912 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Recombination kinetics and stability in polycrystalline Cu(In,Ga)Se2 solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Time-resolved photoluminescence (TRPL) measurements indicate that bare Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) films degrade when they are exposed to air or stored in nitrogen-purged dry boxes. The degradation significantly affects device performance and electro-optical measurements. Measuring films prior to degradation reveals long lifetimes and distinct recombination properties. For high-quality material, the surface recombination velocity at grain boundaries, bare CIGS surfaces, and CIGS/CdS interfaces is less than 103 cm/s, and lifetime values are often greater than 50 ns. In high injection, CIGS has recombination properties similar to GaAs. On completed devices, charge-separation dynamics can be characterized.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 7, 2 February 2009, Pages 2360–2364
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 7, 2 February 2009, Pages 2360–2364
نویسندگان
W.K. Metzger, I.L. Repins, M. Romero, P. Dippo, M. Contreras, R. Noufi, D. Levi,