کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
1671196 1008912 2009 5 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Recombination kinetics and stability in polycrystalline Cu(In,Ga)Se2 solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Recombination kinetics and stability in polycrystalline Cu(In,Ga)Se2 solar cells
چکیده انگلیسی

Time-resolved photoluminescence (TRPL) measurements indicate that bare Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) films degrade when they are exposed to air or stored in nitrogen-purged dry boxes. The degradation significantly affects device performance and electro-optical measurements. Measuring films prior to degradation reveals long lifetimes and distinct recombination properties. For high-quality material, the surface recombination velocity at grain boundaries, bare CIGS surfaces, and CIGS/CdS interfaces is less than 103 cm/s, and lifetime values are often greater than 50 ns. In high injection, CIGS has recombination properties similar to GaAs. On completed devices, charge-separation dynamics can be characterized.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 7, 2 February 2009, Pages 2360–2364
نویسندگان
, , , , , , ,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت