کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1671359 | 1008915 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Radiation enhanced diffusion of B in crystalline Ge
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Radiation enhanced diffusion of B in crystalline Ge Radiation enhanced diffusion of B in crystalline Ge](/preview/png/1671359.png)
چکیده انگلیسی
In this work we propose an alternative methodology to study B diffusion in crystalline Ge. We enhance B diffusion by means of passing implants in such a way to increase the point-defects distribution through the sample, well above the equilibrium value. A comparison between B diffusion occurring under implantation with different ions or after post-implantation annealing allowed to discern any possible role of ionization effects on B diffusion. Indeed, B diffusion is demonstrated to occur through a point-defect-mediated mechanism. The diffusion mechanism is hence discussed. These results are a key point for a full comprehension of the B diffusion in Ge.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 9, 26 February 2010, Pages 2386–2389
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 9, 26 February 2010, Pages 2386–2389
نویسندگان
E. Bruno, S. Mirabella, G. Scapellato, G. Impellizzeri, A. Terrasi, F. Priolo, E. Napolitani, D. De Salvador, M. Mastromatteo, A. Carnera,