کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1671529 | 1008918 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ultrathin tunnel insulator films on silicon for electrochemiluminescence studies
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Ultrathin tunnel insulator films on silicon for electrochemiluminescence studies Ultrathin tunnel insulator films on silicon for electrochemiluminescence studies](/preview/png/1671529.png)
چکیده انگلیسی
Thin insulating films on conductive substrates have been used for tunnel emission of hot electrons into aqueous solution. The hydrated electrons thus formed induce electrochemiluminescence (ECL) in various luminophores, e.g. rare-earth metal chelates, which can be detected in sub-nanomolar concentrations. The luminophores can be used as labels for antibodies, enabling simple and highly sensitive immunoassays. This paper compares thermal silicon dioxide, low pressure chemical vapor deposited silicon nitride, plasma enhanced chemical vapor deposited silicon dioxide and nitride, atomic layer deposited alumina, and liquid phase deposited silicon dioxide for electrodes in ECL applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 19, 3 August 2009, Pages 5779–5782
Journal: Thin Solid Films - Volume 517, Issue 19, 3 August 2009, Pages 5779–5782
نویسندگان
A.J. Niskanen, T. Ylinen-Hinkka, S. Kulmala, S. Franssila,