کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1671546 | 1008919 | 2010 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characteristics of gold/cadmium sulfide nanowire Schottky diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Schottky diode junctions were formed between nanowires of cadmium sulfide and nanowires of gold, through sequential cathodic electrodeposition into the pores of anodized aluminum oxide (AAO) templates. Lengths of CdS and Au nanowires were 100–500 nm and 300–400 nm respectively, while the diameter was 30 nm, each. Analysis of Schottky diodes yielded an effective reverse saturation current (Jo), of 0.32 mA/cm2 and an effective diode ideality factor (A) of 8.1 in the dark. Corresponding values under one sun illumination were, Jo = 0.92 mA/cm2 and A = 10.0. Dominant junction current mechanisms are thought to be tunneling and/or interface state recombination.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 7, 31 January 2010, Pages 1809–1814
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 7, 31 January 2010, Pages 1809–1814
نویسندگان
Sai Guduru, Vijay P. Singh, Suresh Rajaputra, Shounak Mishra, Raghu Mangu, Ingrid St. Omer,