کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1671578 | 1008920 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical and optical properties of ZnO:Mn thin films grown by MOCVD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Electrical and optical properties of ZnO:Mn thin films grown by MOCVD Electrical and optical properties of ZnO:Mn thin films grown by MOCVD](/preview/png/1671578.png)
چکیده انگلیسی
Diluted magnetic semiconductor epitaxial thin films of Zn1 − xMnxO have been grown on c-sapphire by the MOCVD technique. Variations of a and c lattice parameters follow Vegard's law and attest to the incorporation of substitutional Mn2+ ions. Carrier concentration (n-type) and electron mobility were studied versus temperature for different concentrations of manganese. Incorporation of manganese leads to the opening of the band gap, observed as a blue shift in energy regarding pure ZnO.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 24, 15 October 2007, Pages 8519–8523
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issue 24, 15 October 2007, Pages 8519–8523
نویسندگان
E. Chikoidze, Y. Dumont, F. Jomard, O. Gorochov,