| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 1671891 | 1008924 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
کلمات کلیدی
1.مقدمه
2. شبیه سازی تنش
شکل 1. طرحواره ی ساختار دستگاه NMOS که در شبیه سازی استفاده شده است. x نشان دهنده ی [110]، y معادل [-110] و z معادل [001] است.
شکل 2. توزیع جزء تنش جانبی در ساختار ترانزیستور با SiC تنش زاهای منبع / تخلیه برای داده های تجربی [5] و نتایج شبیه سازی ما. توافق بین داده های تجربی و شبیه سازی بسیار خوب است.
3. ساختار باند و محاسبه ی تحرک پذیری
شکل 3. شمارنده های انرژی ثابت (واحدهای eV) پایین ترین باند برای رسیدن به (a) ترانزیستور تخلیه شده و (b) ترانزیستور با SiC S / D و تنش کششی CESL. هر دو Sxx کششی و Szz فشرده به کمترین میزان موثر در طول جهت انتقال کمک می کنند. توجه داشته باشید که واحدهای KX و KY هم 2π / a هستند.
4. نتایج و بحث
شکل 4. وابستگی عرض سه جزء تنش (Sxx، Syy و Szz) در مرکز کانال سطح برای طول ورودی 55 نانومتر NMOSFET با تنش کششی CESLs. توجه داشته باشید که مولکول کربن 1.65٪ است.
شکل 5. وابستگی عرض سه جزء تنش (Sxx، Syy و Szz) در مرکز کانال سطح برای طول ورودی NMOSFET 55 nm با تنش های SiC S / D. توجه داشته باشید که مولکول کربن 1.65٪ بود.
شکل 6. وابستگی عرض سه جزء تنش (Sxx، Syy و Szz) در مرکز کانال سطح برای طول ورودی NMOSFET 55 نانومتر با تنش های SiC S / D و کشش کششی CESLs. توجه داشته باشید که مولکول کربن 1.65٪ است.
شکل 7. وابستگی عرضی به افزایش تحرک پذیری ناشی از تنش Sxx، Syy و Szz قطعات برای طول ورودی 55 نانومتری NMOSFET با تنش کششی CESLs. تحرک پذیری به دلیل هر یک از اجزای فرد نیز مقایسه شده است. نتایج تجربی از دستگاه های گره فن آوری 65nm استخراج می شوند.
شکل 8. وابستگی عرضی به افزایش تحرک پذیری ناشی از تنش Sxx، Syy و Szz اجزاء برای طول ورودی 55 نانومتر NMOSFETs (a) با تنش های SiC / S (b) با هر دو عوامل تنش SiC / S و CESL تنش کششی. تحرک با توجه به هر فرد افزایش می یابد.
5. نتیجه¬گیری
Stress distributions in the Si channel regions of silicon–carbon source/drain and stressed silicon nitride liner NMOSFETs were studied using the 3D ANSYS simulations. The mobility enhancement was found to be dominated by the tensile stress along the transport direction and compressive stress along the growth direction in wide devices. Stress along the width direction was found to have the least effect on the drain current in wide samples. Stress along the width slightly degraded the mobility gain in the narrow width regime. The compressive stress along the vertical direction, perpendicular to the gate oxide, contributes significantly to mobility enhancement and cannot be neglected in nanoscale NMOSFETs. The impact of width on performance improvements such as mobility gain was also analyzed using TCAD simulations.
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 5, 31 December 2009, Pages 1595–1598