کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1672183 | 1008929 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of self-assembled monolayer treatment on SiO2 gate insulator of poly(3-hexylthiophene) thin-film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have investigated self-assembled monolayer (SAM) treatment on SiO2 gate insulator of poly(3-hexylthiophene) (P3HT) thin-film transistor (TFT), and demonstrated a correlation between mobility and surface free energy of the insulator. The device with lower surface free energy shows higher mobility. The docosyltrichlorosilane (DCTS)-treated device exhibits the best performance among the various SAM-treated devices examined. Field-effect mobility, on/off ratio and threshold voltage of the DCTS-treated P3HT TFT were 0.015 cm2/Vs, >105 and −14 V, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 2, 30 November 2009, Pages 642–646
Journal: Thin Solid Films - Volume 518, Issue 2, 30 November 2009, Pages 642–646
نویسندگان
Yoshinori Horii, Mitsuhiro Ikawa, Koichi Sakaguchi, Masayuki Chikamatsu, Yuji Yoshida, Reiko Azumi, Hiroshi Mogi, Masahiko Kitagawa, Hisatoshi Konishi, Kiyoshi Yase,