کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1672339 | 1518086 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical and optical properties of electroluminescent device using nanocrystalline silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We have focused on improving luminescent intensity and reducing direct current (DC) voltage of a nanocrystalline silicon (nc-Si) particle based electroluminescent (EL) device. Nc-Si particles with a size of 3.0 nm dispersed in ethanol were utilized as the luminous layer of the EL device. The EL device could be efficiently injected with carriers (electrons and holes) in the nc-Si region at a low DC voltage of 2.5 V. The injection of carriers resulted in red luminescence that was clearly visible to the naked eye. This was achieved at a low DC voltage by tuning the thickness of the oxide layer surrounding nc-Si particles.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issues 20–21, 31 July 2007, Pages 7990–7993
Journal: Thin Solid Films - Volume 515, Issues 20–21, 31 July 2007, Pages 7990–7993
نویسندگان
Satoshi Yanagisawa, Keisuke Sato, Kenji Hirakuri,