کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1672396 | 1008933 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of continuous CeO2(111) ultra-thin films on Cu(111)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Cerium oxide was grown epitaxially on a Cu(111) substrate at 520Â K in an oxygen atmosphere and resulted in a high quality CeO2(111) overlayers. The continuous single crystalline thin films were characterized by low energy electron diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy of the Ce 3d core levels and resonant photoelectron spectroscopy of the valence band. The Ce oxide on Cu(111) grew initially in the form of islands giving a sharp (1.5Â ÃÂ 1.5) hexagonal diffraction pattern of the CeO2(111) structure. It covered the substrate surface completely after deposition of a 2.5-monolayer thick overlayer. Ce 3d spectra and resonant enhancement of the valence band emission show that Ce is present in the Ce4+ oxidation state.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 18, 31 July 2008, Pages 6120-6124
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 18, 31 July 2008, Pages 6120-6124
نویسندگان
F. Å utara, M. Cabala, L. SedláÄek, T. Skála, M. Å koda, V. MatolÃn, K.C. Prince, V. Cháb,