کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1672734 | 1008938 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interface characteristics of ZrO2 high-k gate dielectrics on epitaxial Ge capacitor layers after thermal desorption of Ge native oxide and Ge nitridation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Interface characteristics of ZrO2 high-k gate dielectrics on epitaxial Ge capacitor layers after thermal desorption of Ge native oxide and Ge nitridation Interface characteristics of ZrO2 high-k gate dielectrics on epitaxial Ge capacitor layers after thermal desorption of Ge native oxide and Ge nitridation](/preview/png/1672734.png)
چکیده انگلیسی
The authors report on interface characteristics of ZrO2 high-k gate dielectrics on Ge epitaxial layers integrated on Si substrates. For surface passivation, thermal desorption of Ge native oxide and Ge nitridation processes is applied to epitaxial Ge capacitor layers. Metal-oxide-semiconductor capacitors exhibit excellent electrical characteristics with a gate leakage current density of 6 × 10− 7–1 × 10− 6 A/cm2 with a capacitance equivalent thickness of 1.5–1.3 nm at a gate voltage of 1 V. Thermal behavior of Ge native oxide and nitrided Ge layers is correlated with electrical characteristics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 12, 30 April 2008, Pages 4107–4110
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 12, 30 April 2008, Pages 4107–4110
نویسندگان
Jungwoo Oh, Prashant Majhi, Hsing-Huang Tseng, Raj Jammy, David Q. Kelly, Sanjay K. Banerjee, Joe C. Campbell,