کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1672738 | 1008938 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Pulsed laser deposited Nb doped TiO2 as a transparent conducting oxide
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Nb doped TiO2 (Nb:TiO2) is a promising indium-free transparent conducting oxide. We have examined the growth of Nb:TiO2 thin films by pulsed laser deposition (PLD) on SrTiO3, LaAlO3, and fused silica. For <004> oriented anatase Nb:TiO2 films grown on SrTiO3 by PLD at 550 °C, the conductivity can be as high as 2500 S/cm. A nearly thickness independent conductivity for Nb:TiO2 demonstrates that the conductivity is a bulk property and not a substrate interface effect. In addition, Nb:TiO2 films deposited at room temperature were annealed at temperatures up to 750 °C in either vacuum or 1.3 Ã 10â 3 Pa O2. For these films, conductivities as high as 3300 S/cm on SrTiO3 and 85 S/cm on LaAlO3 substrates were obtained for the highest temperature vacuum anneals, albeit with some loss in transparency.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 12, 30 April 2008, Pages 4133-4138
Journal: Thin Solid Films - Volume 516, Issue 12, 30 April 2008, Pages 4133-4138
نویسندگان
Matthew S. Dabney, Maikel F.A.M. van Hest, Charles W. Teplin, S. Phil Arenkiel, John D. Perkins, David S. Ginley,